출처:https://videocardz.com/press-release/samsung-begins-initial-production-of-3nm-chips-using-gate-all-around-architecture
출처:삼성전자 반도체 [Samsung Semiconductor]
삼성전자가 세계 최초로 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노(nm, 나노미터) 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했습니다.
3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이며,
차세대 트랜지스터 구조인 GAA 신기술을 적용한 3나노 공정 파운드리 서비스는 전 세계 파운드리 업체 중 삼성전자가 유일합니다.
삼성전자는 3나노 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC, High-Performance Computing)용 시스템 반도체를 초도 생산한데 이어,
모바일 SoC 등으로 확대해 나갈 예정입니다.
삼성전자는 이번에 반도체를 구성하는 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널(Channel) 4개면을
게이트(Gate)가 둘러 싸는 형태인 차세대 GAA 기술을 세계 최초로 적용했습니다.
또한 삼성전자는 채널을 얇고 넓은 모양의 나노시트(Nanosheet) 형태로 구현한 독자적 MBCFET GAA 구조도 적용했습니다.
삼성전자는 앞으로 고객 요구에 최적화된 PPA, 극대화된 전성비(단위 전력당 성능)를 제공하며,
차세대 파운드리 서비스 시장을 주도해 나갈 계획입니다.
삼성전자는 시높시스(Synopsys), 케이던스(Cadence) 등 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 파트너들과 함께
3나노 공정 기반의 반도체 설계 인프라/서비스를 제공함으로써,
고객들이 빠른 시간에 제품 완성도를 높일 수 있도록 시스템을 강화해 나갈 계획입니다.
